လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း- အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်|ညီမျှခြင်း|တိုင်းတာမှုများ|အသုံးချမှုများ

လျှပ်စစ်စီးကူးမှုအတွေးအမြင် အယူအဆထက် အများကြီးပိုပါတယ်။ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်ထားသော ကမ္ဘာ၏ အခြေခံ ကျောရိုးဖြစ်ပြီး သင့်လက်ထဲတွင်ရှိသော နောက်ဆုံးပေါ် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများမှ အရာအားလုံးကို ကျွန်ုပ်တို့၏မြို့များကို မီးလင်းစေမည့် ကြီးမားသော လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြန့်ဖြူးရေးဂရစ်များအထိ တိတ်တဆိတ် စွမ်းအင်ပေးပါသည်။

အင်ဂျင်နီယာများ၊ ရူပဗေဒပညာရှင်များ၊ နှင့် ပစ္စည်းသိပ္ပံပညာရှင်များ၊ သို့မဟုတ် အရာဝတ္ထု၏အပြုအမူကို စစ်မှန်စွာနားလည်သဘောပေါက်လိုသူတိုင်းအတွက်၊ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ကျွမ်းကျင်အောင်ပြုလုပ်ရန်မှာ ညှိနှိုင်းမရနိုင်ပါ။ ဤအသေးစိတ်လမ်းညွှန်ချက်သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း၏တိကျသောအဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်သာမကဘဲ ၎င်း၏အရေးကြီးသောအရေးပါမှုကိုပါ ဖော်ထုတ်ပေးသည်၊ ၎င်းကိုလွှမ်းမိုးသည့်အကြောင်းအရင်းများကို စူးစမ်းရှာဖွေကာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၊ ရုပ်ဝတ္ထုသိပ္ပံနှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ကဲ့သို့သော နယ်ပယ်စုံမှ ၎င်း၏နောက်ဆုံးပေါ်အသုံးချပရိုဂရမ်များကို မီးမောင်းထိုးပြပါသည်။ ဤမရှိမဖြစ်လိုအပ်သောပစ္စည်းများကို နားလည်သဘောပေါက်ခြင်းသည် လျှပ်စစ်လောကကို မည်ကဲ့သို့ပြောင်းလဲစေနိုင်သည်ကို လေ့လာရန် နှိပ်ပါ။

မာတိကာ:

1. Conductivity ဆိုတာဘာလဲ

2. လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းအပေါ် လွှမ်းမိုးသည့်အချက်များ

3. လျှပ်ကူးယူနစ်များ

4. လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာနည်း- ညီမျှခြင်းများ

5. လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာရန် အသုံးပြုသည့် ကိရိယာများ

6. လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ

7. အမေးအဖြေများ

Conductivity ဆိုတာဘာလဲ။

Electrical conductivity (σ) သည် လျှပ်စစ်စီးကြောင်းတစ်ခု၏ စီးဆင်းမှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ပစ္စည်းတစ်ခု၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုင်းတာသည့် အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိတစ်ခုဖြစ်သည်။. အခြေခံအားဖြင့်၊ ၎င်းသည် သတ္တုသယ်ဆောင်သူများ၊ အဓိကအားဖြင့် အခမဲ့အီလက်ထရွန်များသည် အရာဝတ္ထုတစ်ခုအား မည်မျှလွယ်ကူစွာ အားသွင်းနိုင်သည်ကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ ဤမရှိမဖြစ်အင်္ဂါရပ်သည် မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများမှ မြူနီစပယ်စွမ်းအင်အခြေခံအဆောက်အအုံအထိ မရေမတွက်နိုင်သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ခိုင်မာသောအခြေခံဖြစ်သည်။

လျှပ်ကူးမှု၏အပြန်အလှန်အစိတ်အပိုင်းအနေဖြင့်၊ လျှပ်စစ်ခုခံနိုင်စွမ်း (ρ) သည် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ဆန့်ကျင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊low resistance သည် high conductivity နှင့် တိုက်ရိုက်သက်ဆိုင်သည်။. ဤတိုင်းတာမှုအတွက် နိုင်ငံတကာစံယူနစ်မှာ Siemens တစ်မီတာ (S/mmillisiemens per centimeter ရှိသော်လည်း (mS/cm) ဓာတုဗေဒ နှင့် ပတ်ဝန်းကျင် ဆန်းစစ်ခြင်းတွင် အသုံးများသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်စွမ်း- လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် လျှပ်ကာများ

Exceptional conductivity (σ) သည် ပစ္စည်းများကို conductor အဖြစ် သတ်မှတ်ပြီး အသံထွက် ခံနိုင်ရည် (ρ) သည် ၎င်းတို့အား စံပြ insulators များအဖြစ် ထုတ်ပေးသည်။ အခြေခံအားဖြင့်၊ ပစ္စည်းလျှပ်ကူးနိုင်မှုတွင် သိသိသာသာခြားနားမှုသည် မိုဘိုင်းအားသွင်းဝန်ဆောင်မှုပေးသူများ၏ ကွဲပြားစွာရရှိနိုင်မှုမှ အစပြုပါသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း မြင့်မားခြင်း (Conductors)

ကြေးနီနှင့် အလူမီနီယမ်ကဲ့သို့သော သတ္တုများသည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း အလွန်မြင့်မားသည်။ ယင်းမှာ အက်တမ်တစ်ခုချင်းစီနှင့် ခိုင်ခိုင်မာမာ ချည်နှောင်ထားခြင်း မရှိသော အလွယ်တကူ ရွေ့လျားနိုင်သော အီလက်ထရွန်များ၏ ကျယ်ပြန့်သော 'ပင်လယ်' ၏ အက်တမ်ဖွဲ့စည်းပုံကြောင့် ဖြစ်သည်။ ဤပိုင်ဆိုင်မှုသည် လျှပ်စစ်ဝါယာကြိုးများ၊ ဓာတ်အားလိုင်းများ နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်ခြေရာများအတွက် မရှိမဖြစ်ဖြစ်စေသည်။

အကယ်၍ သင်သည် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား၏ စီးဆင်းမှုကို ပိုမိုသိရှိလိုပါက၊ သင့်ဘဝရှိ ပစ္စည်းအားလုံး၏ လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို ထုတ်ဖော်ပြသရန် အာရုံစိုက်ထားသည့် ပို့စ်ကို လွတ်လပ်စွာ ဖတ်ရှုနိုင်ပါသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း နည်းပါးခြင်း (လျှပ်ကာများ)

ရာဘာ၊ ဖန်နှင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အရာများကို insulator ဟုခေါ်သည်။ ၎င်းတို့တွင် လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန် အနည်းငယ်မျှသာ ရှိပြီး လျှပ်စစ်စီးကြောင်း၏ ဖြတ်သန်းမှုကို ပြင်းပြင်းထန်ထန် ခုခံသည်။ ဤဝိသေသလက္ခဏာသည် ၎င်းတို့အား ဘေးကင်းစေရန်၊ အထီးကျန်မှုနှင့် လျှပ်စစ်စနစ်အားလုံးရှိ ရှော့ဆားကစ်များကို ကာကွယ်ခြင်းအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို လွှမ်းမိုးသည့် အကြောင်းရင်းများ

လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် အခြေခံကျသော ပစ္စည်းပိုင်ဆိုင်မှုတစ်ခုဖြစ်သော်လည်း သာမာန်အယူမှားတစ်ခုနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် ပုံသေကိန်းသေမဟုတ်ပေ။ ပစ္စည်းတစ်ခု၏ လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို သယ်ဆောင်နိုင်စွမ်းသည် ပြင်ပပတ်ဝန်းကျင် ပြောင်းလဲမှုများနှင့် တိကျသော ဖွဲ့စည်းမှုဆိုင်ရာ အင်ဂျင်နီယာတို့၏ လွှမ်းမိုးမှုကို နက်ရှိုင်းစွာ ခန့်မှန်းနိုင်သည်။ ဤအချက်များကို နားလည်ခြင်းသည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ အာရုံခံခြင်းနှင့် စွမ်းအင်နည်းပညာများ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်-

1. External Factors တွေက Conductivity ကို ဘယ်လိုလွှမ်းမိုးလဲ။

ပစ္စည်း၏ ချက်ခြင်းပတ်ဝန်းကျင်သည် ၎င်း၏ အားသွင်းသယ်ဆောင်သူများ (ပုံမှန်အားဖြင့် အီလက်ထရွန် သို့မဟုတ် အပေါက်များ) ၏ ရွေ့လျားနိုင်မှုကို သိသာထင်ရှားစွာ ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ၎င်းတို့ကို အသေးစိတ်လေ့လာကြည့်ကြပါစို့။

1. အပူသက်ရောက်မှု- အပူချိန်၏သက်ရောက်မှု

အပူချိန်သည် လျှပ်စစ်ခံနိုင်ရည်နှင့် လျှပ်ကူးနိုင်မှု၏ အလုံးစုံသော ပြုပြင်မွမ်းမံမှု ဖြစ်နိုင်သည်။

သတ္တုစင်အများစုအတွက်၊အပူချိန်တက်လာသည်နှင့်အမျှ conductivity ကျဆင်းသွားသည်။. အပူစွမ်းအင်သည် သတ္တု၏အက်တမ်များ (ပုံဆောင်ခဲချပ်ပြား) ကို ပမာဏပိုကြီးစွာဖြင့် တုန်ခါစေကာ အကျိုးဆက်အနေဖြင့် အဆိုပါ ပြင်းထန်လာသော လတ်တင်တုန်ခါမှုများ (သို့မဟုတ် phonons) သည် ပြန့်ကျဲနေသောဖြစ်ရပ်များ၏ အကြိမ်ရေကို တိုးမြင့်စေပြီး valence အီလက်ထရွန်များ ချောမွေ့စွာစီးဆင်းမှုကို ထိထိရောက်ရောက် ဟန့်တားစေသည်။ ဤဖြစ်စဉ်သည် အပူလွန်ကဲသော ဝါယာကြိုးများ ပါဝါဆုံးရှုံးရခြင်း အကြောင်းရင်းကို ရှင်းပြသည်။

အပြန်အလှန်အားဖြင့်၊ semiconductors နှင့် insulator များတွင် အပူချိန်မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ conductivity သိသိသာသာတိုးလာသည်။ ထပ်လောင်းအပူစွမ်းအင်သည် band gap ကိုဖြတ်ပြီး valence band မှ အီလက်ထရွန်များကို လှုံ့ဆော်ပေးပြီး conduction band အတွင်းသို့ တိုးဝင်လာသော mobile charge carrier အရေအတွက်ကို ဖန်တီးပေးပြီး ခံနိုင်ရည်အား သိသိသာသာ လျော့ကျစေသည်။

2. စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိစီးမှု- ဖိအားနှင့် ဖိအား၏ အခန်းကဏ္ဍ

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားကို အသုံးချခြင်းသည် ပစ္စည်းတစ်ခု၏ အက်တမ်အကွာအဝေးနှင့် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို ပြောင်းလဲစေပြီး လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို လွှမ်းမိုးနိုင်ကာ ၎င်းသည် piezoresistive အာရုံခံကိရိယာများတွင် အရေးကြီးသော ဖြစ်စဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။

အချို့သောပစ္စည်းများတွင် compressive pressure သည် အက်တမ်များကို ပိုမိုနီးကပ်စေကာ အီလက်ထရွန်ပတ်လမ်းများ၏ ထပ်နေမှုကို အားကောင်းစေပြီး charge carriers များ၏ ရွေ့လျားမှုကို ပိုမိုလွယ်ကူစေပြီး conductivity ကိုတိုးစေသည်။

ဆီလီကွန်ကဲ့သို့ ပစ္စည်းများတွင် ဆန့်ထုတ်ခြင်း (tensile strain) သို့မဟုတ် ညှစ်ခြင်း (compressive strain) သည် အီလက်ထရွန် စွမ်းအင်ကြိုးများကို ပြန်လည်စီစဉ်နိုင်ပြီး အားသွင်းသယ်ဆောင်သူများ၏ ထိရောက်သော ထုထည်နှင့် ရွေ့လျားနိုင်မှုကို ပြောင်းလဲစေသည်။ ဤတိကျသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကို strain gauges များနှင့် pressure transducers များတွင် အသုံးချသည်။

2. ညစ်ညမ်းမှုသည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းအပေါ် မည်ကဲ့သို့လွှမ်းမိုးသနည်း။

Solid-state physics နှင့် microelectronics နယ်ပယ်တွင်၊ အဓိကအားဖြင့် doping ဖြင့် ဖွဲ့စည်းမှုဆိုင်ရာ အင်ဂျင်နီယာမှတစ်ဆင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် အဆုံးစွန်သော ထိန်းချုပ်မှုကို ရရှိသည်။

Doping သည် တိကျသော အညစ်အကြေးအက်တမ်များ (ပုံမှန်အားဖြင့် တစ်သန်းလျှင် အစိတ်အပိုင်းများအလိုက် တိုင်းတာသည်) ၏ ခြေရာခံပမာဏကို ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် ဂျာမနီယမ်ကဲ့သို့ အလွန်သန့်စင်ပြီး ပင်ကိုယ်အခြေခံပစ္စည်းအဖြစ်သို့ လွန်စွာထိန်းချုပ်ထားသော နိဒါန်းဖြစ်သည်။

ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ပြောင်းလဲရုံသာမက၊ ၎င်းသည် တွက်ချက်နိုင်သော ခန့်မှန်းနိုင်သော၊ အချိုးမညီသော လျှပ်စစ်အမူအကျင့်ကို ဖန်တီးရန်အတွက် ပစ္စည်း၏သယ်ဆောင်သူအမျိုးအစားနှင့် အာရုံစူးစိုက်မှုကို အခြေခံအားဖြင့် ညှိပေးသည်-

N-Type Doping (အနုတ်လက္ခဏာ)

ဟို့ပစ္စည်း (ဥပမာ၊ ဆီလီကွန်၊ 4) ထက် 5 ပါရှိသော ဖော့စဖရပ် (သို့) အာဆင်းနစ် (ဥပမာ၊ ဖော့စဖရပ် သို့မဟုတ် အာဆင်းနစ်) ပိုများသော အီလက်ထရွန်များကို မိတ်ဆက်ပေးခြင်း။ အပိုအီလက်ထရွန်ကို conduction band သို့ အလွယ်တကူ လှူဒါန်းနိုင်ပြီး၊ အီလက်ထရွန်အား ပင်မအားသွင်းသူအဖြစ် သတ်မှတ်သည်။

P-Type Doping (အပြုသဘော)

valence အီလက်ထရွန်နည်းသော ဒြပ်စင် (ဥပမာ၊ ဘိုရွန် သို့မဟုတ် ဂယ်လီယမ်၊ 3) ပါရှိသော ဒြပ်စင်တစ်ခုကို မိတ်ဆက်ပေးခြင်း။ ၎င်းသည် positive charge carrier အဖြစ် လုပ်ဆောင်သည့် အီလက်ထရွန် လစ်လပ်နေရာ သို့မဟုတ် 'အပေါက်' ကို ဖန်တီးပေးသည်။

doping မှတဆင့် conductivity ကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်မှုသည်ဒစ်ဂျစ်တယ်ခေတ်၏အင်ဂျင်ဖြစ်သည်

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများအတွက်၊ ၎င်းကိုဖွဲ့စည်းရန်အသုံးပြုသည်။p-nလမ်းဆုံများ ၊ လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို လမ်းကြောင်းတစ်ခုတည်းတွင်သာ ခွင့်ပြုပြီး Integrated Circuits (ICs) တွင် core switching ဒြပ်စင်များအဖြစ် ဆောင်ရွက်နိုင်သည့် diodes နှင့် transistor များ၏ တက်ကြွသော ဒေသများ။

သာမိုလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက်၊ လျှပ်ကူးအားထိန်းချုပ်မှုသည် အားကောင်းသောလျှပ်စစ်ကူးယူမှု (အားကိုရွှေ့ရန်) လိုအပ်မှုကို ဟန်ချက်ညီစေရန်အတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

အဆင့်မြင့် အာရုံခံခြင်း၏ ရှုထောင့်မှနေ၍ ဓာတုဗေဒ အာရုံခံကိရိယာများ ၏ အခြေခံအချက်များဖြစ်သော ဓာတ်ငွေ့များ သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း သိသိသာသာ ပြောင်းလဲသွားသော ဓာတုဗေဒ အာရုံခံကိရိယာများ ဖန်တီးရန်အတွက် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ပစ္စည်းများ ကို doped သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် ပြုပြင်နိုင်သည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို နားလည်ပြီး တိကျစွာ ထိန်းချုပ်ခြင်းသည် မျိုးဆက်သစ်နည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေရန်၊ အကောင်းဆုံးသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေရန်နှင့် သိပ္ပံနှင့် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကဏ္ဍအားလုံးနီးပါးတွင် ထိရောက်မှု အများဆုံးရရှိရန် အရေးကြီးပါသည်။

လျှပ်ကူးယူနစ်များ

စံပြုနိုင်စွမ်းအတွက် SI ယူနစ်သည် Siemens per meter (S/m) ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် ဓာတ်ခွဲခန်းဆက်တင်အများစုတွင် Siemens per centimeter (S/cm) သည် ပို၍အသုံးများသော အခြေခံယူနစ်ဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးနိုင်သောတန်ဖိုးများသည် ပြင်းအားအစီအစဥ်များစွာကို ချဲ့ထွင်နိုင်သောကြောင့် တိုင်းတာမှုများကို ယေဘုယျအားဖြင့် ရှေ့ဆက်များကို အသုံးပြု၍ ဖော်ပြသည်-

1. microSiemens per centimeter (mS/cm) ကို deionized သို့မဟုတ် reverse osmosis (RO) water ကဲ့သို့ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနည်းသော အရည်များအတွက် အသုံးပြုသည်။

2. milliSiemens per centimeter (mS/cm) သည် ပိုက်ခေါင်းရေ၊ လုပ်ငန်းစဉ်ရေ သို့မဟုတ် ညစ်ပတ်သော ဖြေရှင်းချက်များအတွက် ဘုံဖြစ်သည်(1 mS/cm = 1,000 μS/cm).

3. တစ်မီတာလျှင် deciSiemens (dS/m) ကို စိုက်ပျိုးရေးတွင် မကြာခဏ အသုံးပြုကြပြီး mS/cm (1 dS/m = 1 mS/cm) နှင့် ညီမျှသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာနည်း- ညီမျှခြင်းများ

Aconductivity မီတာconductivity ကို တိုက်ရိုက်မတိုင်းတာပါ။ ယင်းအစား၊ ၎င်းသည် conductance (Siemen) တွင် တိုင်းတာပြီး အာရုံခံ သီးသန့် Cell Constant (K) ကို အသုံးပြု၍ conductivity ကို တွက်ချက်သည်။ ဤကိန်းသေ (စင်တီမီတာ၏ယူနစ်များနှင့်^-1) သည် အာရုံခံ၏ ဂျီသြမေတြီ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပိုင်ဆိုင်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ တူရိယာ၏ အဓိက တွက်ချက်မှုမှာ-

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (S/cm) = Measured Conductance (S) × Cell Constant (K, in cm⁻¹)

ဤအတိုင်းအတာကိုရယူရန်အသုံးပြုသည့်နည်းလမ်းသည် လျှောက်လွှာပေါ်တွင်မူတည်သည်။ အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းမှာ အရည်နှင့်တိုက်ရိုက်ထိတွေ့နေသည့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း (မကြာခဏ ဂရပ်ဖိုက် သို့မဟုတ် သံမဏိ) ကိုအသုံးပြုသည့် (Potentiometric) အာရုံခံကိရိယာများနှင့် ထိတွေ့ခြင်းပါဝင်သည်။ ရိုးရှင်းသော 2-electrode ဒီဇိုင်းသည် သန့်စင်သောရေကဲ့သို့ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနည်းသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ထိရောက်မှုရှိပါသည်။ အဆင့်မြင့် 4-လျှပ်ကူးပစ္စည်းအာရုံခံကိရိယာများပေးသည်။ပိုမိုကျယ်ပြန့်သောအကွာအဝေးတစ်လျှောက်တွင် တိကျမှုမြင့်မားပြီး အလယ်အလတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖောက်ပြန်ခြင်းမှ အမှားအယွင်းများကို ခံနိုင်ရည်နည်းပါသည်။

လျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို ညစ်ညမ်းစေမည့် သို့မဟုတ် ယိုယွင်းစေမည့် ပြင်းထန်သော၊ သံချေးတက်သည့် သို့မဟုတ် အလွန်လျှပ်ကူးနိုင်သော ဖြေရှင်းချက်များအတွက်၊ inductive (Toroidal) အာရုံခံကိရိယာများ ပါဝင်လာပါသည်။ ဤအဆက်အသွယ်မဟုတ်သော အာရုံခံကိရိယာများသည် တာရှည်ခံပေါ်လီမာတွင် ထုပ်ပိုးထားသော ဝါယာအနာကွိုင်နှစ်ခုပါရှိသည်။ ကွိုင်တစ်ခုသည် ဖြေရှင်းချက်အတွင်းရှိ လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို လှည့်ပတ်စေပြီး၊ ဒုတိယကွိုင်သည် အရည်၏စီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် တိုက်ရိုက်အချိုးကျသည့် ဤလျှပ်စီးကြောင်း၏ပြင်းအားကို တိုင်းတာသည်။ သတ္တုအစိတ်အပိုင်းများကို လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် မထိတွေ့နိုင်သောကြောင့် ဤဒီဇိုင်းသည် အလွန်ခိုင်မာသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် အပူချိန်တိုင်းတာမှုများ

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း တိုင်းတာခြင်းများသည် အပူချိန်ပေါ်တွင် အလွန်မူတည်ပါသည်။ အရည်၏ အပူချိန် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်း၏ အိုင်းယွန်းများသည် ရွေ့လျားလာကာ တိုင်းတာသည့် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း မြင့်တက်လာသည် (မကြာခဏ ဒီဂရီ ဒီဂရီ ဆဲလ်စီးယပ်တွင် ~2% ) ဖြစ်သည်။ တိုင်းတာမှုများသည် တိကျပြီး နှိုင်းယှဉ်နိုင်စေရန်အတွက်၊ ၎င်းတို့အား စံရည်ညွှန်းအပူချိန်တစ်ခုအဖြစ် ပုံမှန်ပြုလုပ်ရမည်၊၊25°C.

ခေတ်မီလျှပ်ကူးပစ္စည်းမီတာသည် ဤပြင်ဆင်မှုကို အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်သည်။ပေါင်းစပ်အပူချိန်အာရုံခံကိရိယာ. Automatic Temperature Compensation (ATC) ဟုခေါ်သော ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပြုပြင်ခြင်းဆိုင်ရာ အယ်လဂိုရီသမ် (ဥပမာ မျဉ်းဖြောင့်ဖော်မြူလာကဲ့သို့)G 25 = G_t/[1+α(T-25)]) 25°C တွင် တိုင်းတာထားသည့်အတိုင်း conductivity ကို အစီရင်ခံရန်။

ဘယ်မှာလဲ-

G₂₅= 25°C တွင် မှန်ကန်သော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း၊

G_t= ကုန်ကြမ်းလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန်တွင် တိုင်းတာသည်။T;

T= တိုင်းတာသည့် လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန် (°C)၊

α (အယ်ဖာ)= ဖြေရှင်းချက်၏ အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း (ဥပမာ၊ NaCl ဖြေရှင်းချက်များအတွက် 0.0191 သို့မဟုတ် 1.91%/°C)။

Ohm's Law ဖြင့် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာပါ။

လျှပ်စစ်သိပ္ပံ၏ အုတ်မြစ်ဖြစ်သော Ohm's Law သည် ပစ္စည်းတစ်ခု၏ လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှု (σ) ကို တွက်ချက်ရန်အတွက် လက်တွေ့ကျသော မူဘောင်ကို ပေးဆောင်သည်။ ဒီနိယာမဗို့အား (V)၊ လျှပ်စီးကြောင်း (I) နှင့် ခုခံမှု (R) အကြား တိုက်ရိုက်ဆက်စပ်မှုကို သတ်မှတ်ပေးသည်။. ပစ္စည်း၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂျီသြမေတြီကို ထည့်သွင်းရန် ဤဥပဒေအား တိုးချဲ့ခြင်းဖြင့် ၎င်း၏ ပင်ကိုယ် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ဆင်းသက်လာနိုင်သည်။

ပထမအဆင့်မှာ Ohm's Law (R=V/I) ကို သီးခြားပစ္စည်းနမူနာတစ်ခုတွင် အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် တိကျသော တိုင်းတာမှုနှစ်ခုကို ရယူရန် လိုအပ်သည်- နမူနာကိုဖြတ်၍ အသုံးပြုသည့် ဗို့အားနှင့် ရလဒ်အဖြစ် ၎င်းကိုဖြတ်သွားသော လျှပ်စီးကြောင်း။ ဤတန်ဖိုးနှစ်ခု၏အချိုးသည် နမူနာ၏ စုစုပေါင်းလျှပ်စစ်ခုခံမှုကို ထုတ်ပေးသည်။ သို့သော် ဤတွက်ချက်မှုခံနိုင်ရည်သည် ထိုနမူနာ၏ အရွယ်အစားနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်အတွက် အတိအကျဖြစ်သည်။ ဤတန်ဖိုးကို ပုံမှန်ဖြစ်အောင် လုပ်ပြီး ပစ္စည်း၏ မွေးရာပါ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ဆုံးဖြတ်ရန်၊ ၎င်း၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အတိုင်းအတာများကို ထည့်သွင်းတွက်ချက်ရပါမည်။

အရေးကြီးသော ဂျီဩမေတြီအချက် နှစ်ခုမှာ နမူနာ၏ အရှည် (L) နှင့် ၎င်း၏ အပိုင်းဖြတ်ပိုင်း ဧရိယာ (A) ဖြစ်သည်။ ဤဒြပ်စင်များကိုဖော်မြူလာတစ်ခုတည်းတွင် ပေါင်းစည်းထားသည်- σ = L / (R^A)။

ဤညီမျှခြင်းသည် တိုင်းတာနိုင်သော၊ ခံနိုင်ရည်၏ ပြင်ပပိုင်ဆိုင်မှုကို လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း၏ အခြေခံ၊ ပင်ကိုယ်ပိုင်ဆိုင်မှုအဖြစ်သို့ ထိရောက်စွာ ဘာသာပြန်ပေးသည်။ နောက်ဆုံးတွက်ချက်မှု၏ တိကျမှုသည် ကနဦးဒေတာ၏ အရည်အသွေးပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်မူတည်ကြောင်း အသိအမှတ်ပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။ V၊ I၊ L သို့မဟုတ် A ကို တိုင်းတာရာတွင် စမ်းသပ်မှု အမှားအယွင်းများသည် တွက်ချက်ထားသော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း၏ တရားဝင်မှုကို အလျှော့အတင်း ပေးလိမ့်မည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာရန် အသုံးပြုသည့် ကိရိယာများ

စက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှု၊ ရေသန့်စင်မှုနှင့် ဓာတုကုန်ထုတ်မှုတွင်၊ လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် passive တိုင်းတာမှုတစ်ခုမျှသာမဟုတ်ပေ။ ၎င်းသည် အရေးကြီးသော ထိန်းချုပ်မှု သတ်မှတ်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ တိကျသော၊ ထပ်ခါတလဲလဲ ဒေတာရရှိရန် ရည်ရွယ်ချက် တစ်ခုတည်းမှ မရောက်ပါ။ ယင်းအစား၊ ၎င်းသည် သီးခြားလုပ်ငန်းတစ်ခုအတွက် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီကို ရွေးချယ်သည့် ပြီးပြည့်စုံသော၊ ကိုက်ညီသောစနစ်တစ်ခု တည်ဆောက်ရန် လိုအပ်သည်။

ခိုင်ခံ့သောလျှပ်ကူးမှုစနစ်တွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်းနှစ်ခုပါဝင်သည်- ထိန်းချုပ်ကိရိယာ (ဦးနှောက်) နှင့် အာရုံခံကိရိယာ (အာရုံခံစားမှု) နှစ်ခုစလုံးကို သင့်လျော်သော ချိန်ညှိခြင်းနှင့် လျော်ကြေးပေးခြင်းတို့ဖြင့် ပံ့ပိုးပေးရမည်ဖြစ်သည်။

1. Core- လျှပ်ကူးပစ္စည်း ထိန်းချုပ်ကိရိယာ

စနစ်၏ဗဟိုအချက်အချာဖြစ်သည်။အဆိုပါအွန်လိုင်းconductivity controllerတန်ဖိုးတစ်ခုကို ဖော်ပြရုံထက် ပိုပါတယ်။ ဤထိန်းချုပ်ကိရိယာသည် အာရုံခံကိရိယာကို စွမ်းအားပေးခြင်း၊ ကုန်ကြမ်းအချက်ပြမှုကို လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ဒေတာကို အသုံးဝင်စေခြင်းတို့အဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်း၏ အဓိက လုပ်ဆောင်ချက်များမှာ အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်။

① အလိုအလျောက် အပူချိန် လျော်ကြေးငွေ (ATC)

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် အပူချိန်တွင် အလွန်ထိခိုက်လွယ်သည်။ စက်မှုထိန်းချုပ်ကိရိယာ၊SUP-TDS210-Bသို့မဟုတ်မြင့်မားသောတိကျမှုSUP-EC8.0စာဖတ်တိုင်းကို 25°C စံနှုန်းသို့ အလိုအလျောက်ပြင်ရန် ပေါင်းစပ်အပူချိန်ဒြပ်စင်ကို အသုံးပြုသည်။ တိကျမှုအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

② အထွက်များနှင့် နှိုးစက်များ

ဤယူနစ်များက တိုင်းတာခြင်းအား PLC အတွက် 4-20mA အချက်ပြမှုအဖြစ် ဘာသာပြန်ဆိုသည်၊ သို့မဟုတ် အချက်ပေးသံများနှင့် စုပ်ယူမှုထိန်းချုပ်မှုအတွက် အစပျိုးသည့် relay များကို ဘာသာပြန်ဆိုသည်။

③ Calibration Interface

ပုံမှန်၊ ရိုးရှင်းသော ချိန်ညှိမှုများကို လုပ်ဆောင်ရန် ထိန်းချုပ်ကိရိယာကို ဆော့ဖ်ဝဲလ်အင်တာဖေ့စ်တစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပါသည်။

2. မှန်ကန်သောအာရုံခံကိရိယာကို ရွေးချယ်ခြင်း။

အရေးကြီးဆုံးအပိုင်းမှာ အာရုံခံကိရိယာ (သို့မဟုတ် စုံစမ်းစစ်ဆေးခြင်း) နှင့် ပတ်သက်သော သင်ရွေးချယ်မှုမှာ ၎င်း၏နည်းပညာသည် သင့်အရည်၏ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိရမည်ဖြစ်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။ အာရုံခံကိရိယာ မှားယွင်းအသုံးပြုခြင်းသည် တိုင်းတာမှု ချို့ယွင်းမှု၏ နံပါတ်တစ် အကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။

ရေသန့်နှင့် RO စနစ်များ (လျှပ်ကူးနိုင်မှုနည်း) အတွက်

reverse osmosis၊ deionized water သို့မဟုတ် boiler feedwater ကဲ့သို့သော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက်၊ အရည်တွင် အိုင်းယွန်းအနည်းငယ်သာ ပါဝင်ပါသည်။ ဤတွင်၊ အီလက်ထရော့လျှပ်ကူးမှုအာရုံခံကိရိယာနှစ်ခု (ကဲ့သို့သောအဆိုပါSUP-TDS7001) အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။toတိုင်းတာရေစီးကူးမှု. ၎င်း၏ဒီဇိုင်းသည် ဤလျှပ်ကူးနိုင်မှုအဆင့်တွင် မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းနှင့် တိကျမှုကို ပေးဆောင်သည်။

ယေဘူယျရည်ရွယ်ချက်နှင့် ရေဆိုးအတွက် (အလယ်အလတ်မှ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်း)

ဆိုင်းငံ့ထားသော အစိုင်အခဲများ ပါဝင်သော ညစ်ပတ်သော အရည်များတွင် သို့မဟုတ် ကျယ်ပြန့်သော တိုင်းတာမှု အကွာအဝေး (ရေဆိုး၊ ပိုက်ဆက်ရေ သို့မဟုတ် ပတ်ဝန်းကျင် စောင့်ကြည့်ခြင်းကဲ့သို့) အာရုံခံကိရိယာများသည် ညစ်ညမ်းမှု ဖြစ်နိုင်သည်။ ထိုသို့သောအခြေအနေမျိုးတွင် လေးလုံးလျှပ်ကူးပစ္စည်း အာရုံခံကိရိယာကဲ့သို့ဖြစ်သည်။အဆိုပါSUP-TDS7002 သာလွန်သောဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။ ဤဒီဇိုင်းသည် ပြောင်းလဲနိုင်သော အခြေအနေများတွင် ပိုမိုကျယ်ဝန်းကာ ပိုမိုတည်ငြိမ်ကာ ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချရသော ဖတ်ရှုမှုကို ပေးဆောင်သည့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် တည်ဆောက်မှုကြောင့် ထိခိုက်မှုနည်းပါသည်။

ပြင်းထန်သော ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် ဆားရည်များ (ပြင်းထန်ပြီး လျှပ်ကူးနိုင်မှု မြင့်မား) အတွက်

အက်ဆစ်များ၊ ဘေ့စ်များ သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများကဲ့သို့သော ပြင်းထန်သောမီဒီယာကို တိုင်းတာသောအခါ၊ ရိုးရာသတ္တုလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ယိုယွင်းလာပြီး လျင်မြန်စွာ ပျက်ကွက်သွားမည်ဖြစ်သည်။ ဖြေရှင်းချက်သည် non-contact inductive (toroidal) conductivity sensor ကဲ့သို့ဖြစ်သည်။အဆိုပါSUP-TDS6012တန်းစီသည်။ ဤအာရုံခံကိရိယာသည် ၎င်းကိုမထိဘဲ အာရုံခံကိရိယာ၏အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုမှမထိဘဲ အရည်အတွင်းရှိလျှပ်စီးကြောင်းကို လှုံ့ဆော်ပေးကာ တိုင်းတာရန် ကွိုင်နှစ်ခုကိုအသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် သံချေးတက်ခြင်း၊ ညစ်ညမ်းခြင်းနှင့် ဝတ်ဆင်ခြင်းတို့ကို နီးပါးခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။

3. လုပ်ငန်းစဉ်- ရေရှည်တိကျမှုကို သေချာစေခြင်း။

စနစ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုအားဖြင့် ထိန်းသိမ်းထားသည်- စံကိုက်ညှိခြင်း။ မည်မျှပင်အဆင့်မြင့်နေပါစေ ထိန်းချုပ်ကိရိယာနှင့် အာရုံခံကိရိယာတစ်ခုအား စစ်ဆေးရပါမည်။လူသိများသည်။အကိုးအကားဖြေရှင်းချက်(a conductivity standard) တိကျသေချာစေရန်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ သေးငယ်သောအာရုံခံကိရိယာ လွင့်မျောမှု သို့မဟုတ် ဖောက်ပြန်မှုများအတွက် လျော်ကြေးပေးသည်။ Controller ကောင်းကောင်း၊ ကြိုက်တယ်။အဆိုပါSUP-TDS210-C၎င်းကို ရိုးရှင်းသော၊ မီနူးစနစ်ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခု ဖြစ်စေသည်။

တိကျသော conductivity တိုင်းတာမှုရရှိရန်သည် smart system design ၏ကိစ္စဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် သင်၏ သီးခြားအပလီကေးရှင်းအတွက် တည်ဆောက်ထားသော အာရုံခံနည်းပညာနှင့် ဉာဏ်ရည်တူ ထိန်းချုပ်ကိရိယာကို ချိတ်ဆက်ရန် လိုအပ်သည်။

လျှပ်​စစ်​ထုတ်​​ဆောင်​ရန်​အ​ကောင်းဆုံးအရာကဘာလဲ။

လျှပ်စစ်စီးကြောင်းအတွက် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းမှာ ငွေစင် (Ag) ဖြစ်ပြီး မည်သည့်ဒြပ်စင်၏ အမြင့်ဆုံးလျှပ်စစ်စီးကူးမှုကို ဂုဏ်ယူပါသည်။ သို့သော်၊ ၎င်း၏ ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားမှုနှင့် အရောင်မှိန်ခြင်း (oxidize) သည် ၎င်း၏ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။ လက်တွေ့အသုံးပြုမှုအများစုအတွက်၊ ကြေးနီ (Cu) သည် စံချိန်စံညွှန်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ကုန်ကျစရိတ်များစွာသက်သာစွာဖြင့် ဒုတိယအကောင်းဆုံးလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ပေးဆောင်ကာ ဝိုင်ယာကြိုးများ၊ မော်တာများနှင့် ထရန်စဖော်မာများအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။

အပြန်အလှန်အားဖြင့် ရွှေ (Au) သည် ငွေနှင့် ကြေးနီတို့ထက် လျှပ်ကူးနိုင်မှုနည်းသော်လည်း၊ ၎င်းသည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ အချက်ပြမှုပြိုကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည့် အထိခိုက်မခံသော၊ ဗို့အားနည်းသော အဆက်အသွယ်များအတွက် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အရေးကြီးပါသည်။

နောက်ဆုံးအနေနဲ့၊ အလူမီနီယမ် (Al) ကို ကြေးနီနဲ့ယှဉ်ရင် ထုထည်နဲ့ယှဉ်ရင် ထုထည်အားဖြင့် လျှပ်ကူးနိုင်မှုနည်းပေမယ့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာတာကြောင့် တာဝေး၊ ဗို့အားမြင့် ဂီယာလိုင်းတွေအတွက် အသုံးဝင်ပါတယ်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ

ပစ္စည်းတစ်ခု၏ ပင်ကိုယ်လျှပ်စီးကြောင်းကို ပို့လွှတ်နိုင်သော စွမ်းရည်အနေဖြင့် လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် နည်းပညာကို မောင်းနှင်ပေးသည့် အခြေခံ ပိုင်ဆိုင်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ အပလီကေးရှင်းသည် ကြီးမားသော ပါဝါအခြေခံအဆောက်အအုံမှ မိုက်ခရိုစကေးအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်စောင့်ကြည့်ခြင်းအထိ အရာအားလုံးကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ ဤပိုင်ဆိုင်မှုသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ၎င်း၏ အဓိက application များဖြစ်သည်-

ပါဝါ၊ လျှပ်စစ်နှင့် ထုတ်လုပ်ရေး

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်းသည် ကျွန်ုပ်တို့၏လျှပ်စစ်ကမ္ဘာ၏အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်ပြီး၊ ထိန်းချုပ်ထားသောလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းဆောင်တာများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

Power Transmission နှင့် Wiring

ကြေးနီနှင့် အလူမီနီယံကဲ့သို့ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း မြင့်မားသော ပစ္စည်းများသည် လျှပ်စစ်ဝါယာကြိုးများနှင့် အကွာအဝေး ဓာတ်အားလိုင်းများအတွက် စံနှုန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ သူတို့ရဲ့ ခံနိုင်ရည် အားနည်းမှုက I ကို လျော့နည်းစေပါတယ်။²R (Joule) အပူဆုံးရှုံးမှု၊ ထိရောက်သော စွမ်းအင် ပို့လွှတ်မှုကို သေချာစေသည်။

အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ

အသေးစားအဆင့်တွင်၊ Printed Circuit Boards (PCBs) နှင့် connectors များတွင် conductive trace များသည် signals များအတွက် လမ်းကြောင်းများဖြစ်လာသည်။ ဆီလီကွန်လျှပ်ကူးတာများတွင်၊ ခေတ်မီပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအားလုံး၏အခြေခံဖြစ်သော ထရန်စစ္စတာများဖန်တီးရန်အတွက် ဆီလီကွန်၏လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိကျစွာခြယ်လှယ်ခြင်း (doped) ပေးပါသည်။

ဓာတ်ဓာတုဗေဒ

ဤအကွက်သည် အီလက်ထရိုလစ်၏ အိုင်ယွန်လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းအပေါ် မူတည်သည်။ ဤနိယာမသည် ဘက်ထရီများ၊ လောင်စာဆဲလ်များနှင့် လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်၊ သတ္တုသန့်စင်ခြင်းနှင့် ကလိုရင်းထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အင်ဂျင်ဖြစ်သည်။

ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ

လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြည့်ပစ္စည်းများ (ကာဗွန် သို့မဟုတ် သတ္တုအမျှင်များကဲ့သို့) သည် တိကျသောလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိရှိသော ပေါင်းစပ်များကို ဖန်တီးရန်အတွက် ပိုလီမာများသို့ ပေါင်းထည့်ထားသည်။ ဤအရာများကို လျှပ်စစ်သံလိုက်အကာအကွယ်ပေးခြင်း (EMI) နှင့် ထုတ်လုပ်မှုတွင် ထိခိုက်လွယ်သောပစ္စည်းများကိုကာကွယ်ရန်နှင့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ထုတ်လွှတ်ခြင်း (ESD) ကာကွယ်ရေးအတွက် အသုံးပြုသည်။

စောင့်ကြည့်ခြင်း၊ တိုင်းတာခြင်းနှင့် ရောဂါရှာဖွေခြင်းများ

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာခြင်းသည် အစွမ်းထက်သော ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု ကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုသည့် ပိုင်ဆိုင်မှုကိုယ်နှိုက်ကဲ့သို့ အရေးကြီးပါသည်။

ရေအရည်အသွေးနှင့် ပတ်ဝန်းကျင် စောင့်ကြည့်ရေး

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းတိုင်းတာခြင်းသည် ရေ၏သန့်ရှင်းမှုနှင့် ဆားငန်ဓာတ်ကို အကဲဖြတ်ရန်အတွက် အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ အိုင်ယွန်းအခဲများ ပျော်ဝင်သောကြောင့် (TDS) တိုက်ရိုက်စီးကူးနိုင်စွမ်းကို တိုးမြင့်စေသော အာရုံခံကိရိယာများကို သောက်သုံးရေကို စောင့်ကြည့်စစ်ဆေးရန် အသုံးပြုသည်။စီမံခန့်ခွဲရေဆိုးကုသမှုစိုက်ပျိုးရေးတွင် မြေဆီလွှာကျန်းမာရေးကို အကဲဖြတ်ပါ။

ဆေးဘက်ဆိုင်ရာရောဂါရှာဖွေရေး

လူ့ခန္ဓာကိုယ်သည် ဇီဝလျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများကို လုပ်ဆောင်သည်။ Electrocardiography (ECG) နှင့် Electroencephalography (EEG) ကဲ့သို့သော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနည်းပညာများသည် နှလုံးနှင့် အာရုံကြောဆိုင်ရာ အခြေအနေများကို စစ်ဆေးသိရှိနိုင်စေရန် ခန္ဓာကိုယ်အတွင်းရှိ အိုင်းယွန်းများမှ လုပ်ဆောင်သော မိနစ်လျှပ်စီးကြောင်းများကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။

လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်ရေးအာရုံခံကိရိယာများ

ဓာတုဗေဒ၌နှင့်အစားအသောက်ကုန်ထုတ်လုပ်မှု၊ conductivity sensors များသည် လုပ်ငန်းစဉ်များကို အချိန်နှင့်တပြေးညီ စောင့်ကြည့်ရန် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းတို့သည် အာရုံစူးစိုက်မှုဆိုင်ရာ ပြောင်းလဲမှုများကို သိရှိနိုင်သည်၊ မတူညီသော အရည်များကြားရှိ မျက်နှာပြင်များကို ခွဲခြားသတ်မှတ်နိုင်သည် (ဥပမာ၊ သန့်ရှင်းသောနေရာစနစ်များတွင်) သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများနှင့် ညစ်ညမ်းမှုများကို သတိပေးနိုင်သည်။

အမေးအဖြေများ

Q1- လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခံနိုင်ရည်အား ကွာခြားချက်မှာ အဘယ်နည်း။

A- လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (σ) သည် ပစ္စည်း၏ လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို ခွင့်ပြုနိုင်သော စွမ်းရည်ဖြစ်ပြီး Siemens per meter (S/m) ဖြင့် တိုင်းတာသည်။ ခုခံနိုင်စွမ်း (ρ) သည် ၎င်း၏ လျှပ်စီးကြောင်းကို ဆန့်ကျင်နိုင်စွမ်းရှိပြီး Ohm-meters (Ω⋅m) ဖြင့် တိုင်းတာသည်။ ၎င်းတို့သည် တိုက်ရိုက်သင်္ချာအပြန်အလှန် (σ=1/ρ) ဖြစ်သည်။

Q2- သတ္တုများသည် အဘယ်ကြောင့် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားသနည်း။

A- သတ္တုများသည် အက်တမ်တစ်ခုနှင့်တစ်ခုသို့ valence အီလက်ထရွန်များကို ချည်နှောင်ခြင်းမပြုဘဲ သတ္တုများကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် အရာဝတ္တုများမှတဆင့် လွတ်လပ်စွာ ရွေ့လျားကာ ဗို့အားကို အသုံးချသောအခါတွင် အလွယ်တကူလျှပ်စီးကြောင်း ဖန်တီးပေးသော ဖယ်ထုတ်ထားသော “အီလက်ထရွန်ပင်လယ်” ကို ဖယ်ထုတ်ထားသော ပုံစံဖြစ်သည်။

Q3- conductivity ကို ပြောင်းလဲနိုင်ပါသလား။

A: ဟုတ်ကဲ့၊ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် ပြင်ပအခြေအနေများအတွက် အလွန်ထိခိုက်လွယ်ပါသည်။ အဖြစ်များဆုံးအချက်များမှာ အပူချိန် (အပူချိန်မြင့်တက်လာခြင်းသည် သတ္တုများတွင် စီးကူးနိုင်မှုကို လျော့ကျစေသော်လည်း ၎င်းကို ရေတွင် တိုးစေသည်) နှင့် အညစ်အကြေးများပါဝင်ခြင်း (သတ္တုများအတွင်း အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှုကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေသော သို့မဟုတ် ရေထဲသို့ အိုင်းယွန်းထည့်ခြင်း) တို့ဖြစ်သည်။

Q4: ရော်ဘာနှင့် ဖန်ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများ ကောင်းမွန်သော လျှပ်ကာများ ကို မည်သည့်အရာက ဖြစ်စေသနည်း။

A- ဤပစ္စည်းများတွင် valence အီလက်ထရွန်အားလုံးကို တင်းတင်းကြပ်ကြပ်ဆုပ်ကိုင်ထားသည့် ခိုင်ခံ့သော covalent သို့မဟုတ် ionic နှောင်ကြိုးများရှိသည်။ ရွေ့လျားရန် အလကားအီလက်ထရွန်မရှိသဖြင့် ၎င်းတို့သည် လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို မပံ့ပိုးနိုင်ပေ။ ၎င်းကို အလွန်ကြီးမားသော “စွမ်းအင်ကြိုးဝိုင်းကွာဟမှု” ရှိခြင်းဟု လူသိများသည်။

Q5- ရေတွင် conductivity ကိုမည်သို့တိုင်းတာသနည်း။

ဖြေ- မီတာတစ်ခုသည် ပျော်ဝင်နေသော ဆားများမှ အိုင်အိုနစ်စီးကူးမှုကို တိုင်းတာသည်။ ၎င်း၏ စူးစမ်းလေ့လာမှုသည် ရေတွင် AC ဗို့အားကို သက်ရောက်စေပြီး ပျော်ဝင်နေသော အိုင်းယွန်းများ (Na+ သို့မဟုတ် Cl−) ကို ရွေ့လျားစေပြီး လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခု ဖန်တီးစေသည်။ မီတာသည် ဤလက်ရှိကို တိုင်းတာပြီး၊ အပူချိန်အတွက် အလိုအလျောက် ပြုပြင်ပေးပြီး နောက်ဆုံးတန်ဖိုးကို အစီရင်ခံရန် (ပုံမှန်အားဖြင့် μS/cm) ဖြင့် အာရုံခံကိရိယာ၏ “ဆဲလ်အဆက်မပြတ်” ကို အသုံးပြုသည်။